Webhostdiy.com – Samsung baru saja bikin kejutan besar di ajang Future of Memory and Storage (FMS) 2026 yang berlangsung meriah di Santa Clara, California, Amerika Serikat, Rabu (5/8/2026). Dalam pameran teknologi bertaraf internasional itu, raksasa teknologi asal Korea Selatan ini memamerkan deretan inovasi memori dan penyimpanan yang bikin para pengamat teknologi geleng-geleng kepala. Bukan cuma satu atau dua, Samsung menghadirkan seluruh senjata pamungkas mereka yang siap mengubah lanskap industri penyimpanan data global!
Yang paling menyita perhatian tentu saja V10 Bonded V-NAND (BV-NAND). Ini bukan sekadar chip memori flash biasa, melainkan generasi terbaru V-NAND yang berhasil mencetak rekor sebagai yang pertama di industri dengan lebih dari 400 lapisan! Bayangkan saja, 400 lapisan sel memori yang ditumpuk dengan presisi luar biasa dalam satu chip kecil. Bagaimana Samsung bisa melakukan ini? Rahasianya terletak pada teknologi bonding canggih yang memungkinkan mereka menyatukan dan menumpuk sel-sel memori dengan kerapatan luar biasa, jauh lebih rapat dari pendekatan konvensional.
Hasilnya? Samsung dengan percaya diri mengklaim bahwa V10 BV-NAND ini mampu menyimpan data sekitar 58 persen lebih banyak dibandingkan pendahulunya, V9, dengan ukuran chip yang sama persis! Artinya, pabrikan smartphone, produsen server, hingga pembuat perangkat penyimpanan bisa mendapatkan kapasitas jauh lebih besar tanpa perlu mengorbankan ruang fisik yang berharga. Selain kapasitas melonjak, chip anyar ini juga diklaim menawarkan kecepatan baca, tulis, dan input/output (I/O) yang lebih tinggi, sekaligus lebih hemat daya. Ini kabar baik banget buat perangkat modern yang haus performa dan efisiensi baterai!
Tak berhenti di V10 BV-NAND, Samsung juga memperkenalkan HBM5, generasi terbaru dari High Bandwidth Memory (HBM) yang selama ini menjadi primadona untuk chip kecerdasan buatan (AI). HBM5 dibawa Samsung untuk menjawab kebutuhan komputasi AI yang semakin gila-gilaan. Menariknya, sebelum HBM5 resmi meluncur, Samsung sudah mulai mengirim sampel memori HBM4E kepada sejumlah pelanggan setianya. Ini menunjukkan bahwa Samsung benar-benar serius dan tidak main-main dalam menggarap segmen memori berkecepatan tinggi untuk AI.
Namun, inovasi paling bikin penasaran adalah teknologi memori baru bernama zHBM. Berbeda dengan HBM konvensional yang biasanya dipasang di samping chip AI, zHBM dirancang dengan konsep revolusioner: ditumpuk langsung di atas chip AI! Posisi yang begitu dekat ini bukan sekadar gimmick, melainkan terobosan yang memungkinkan data berpindah lebih cepat dan konsumsi daya turun drastis. Bayangkan seperti tetangga yang tinggal bersebelahan, komunikasi jadi lebih cepat dan efisien dibandingkan yang harus menyeberang jalan. Samsung mengklaim bahwa zHBM sanggup memberikan performa hingga delapan kali lebih tinggi dibandingkan HBM5, dengan kapasitas memori hingga 10 kali lebih padat, serta tiga kali lebih hemat energi. Angka-angka ini bikin kompetitor pasti gigit jari!
Samsung Siapkan Amunisi Lengkap untuk Era AI
Tidak cukup dengan V-NAND dan HBM, Samsung juga menghadirkan zNAND-O, teknologi flash memory generasi terkini yang dibangun di atas fondasi V-NAND yang sudah terbukti tangguh. Saat ini, Samsung mengembangkan zNAND-O dalam versi empat dan delapan lapis yang diklaim menawarkan efisiensi ruang lebih baik, performa I/O lebih tinggi, serta latensi lebih rendah dibandingkan NAND konvensional. Artinya, data bisa diakses lebih cepat dan proses baca-tulis berjalan lebih mulus.
Yang menarik, Samsung mendesain zNAND-O khusus untuk kebutuhan edge AI, yaitu pemrosesan AI yang berlangsung lebih dekat ke perangkat pengguna seperti smartphone, kamera pintar, atau perangkat IoT. Sementara zHBM yang lebih bertenaga difokuskan untuk kebutuhan pelatihan dan inferensi model AI di data center skala besar. Pembagian tugas yang cerdas ini menunjukkan bahwa Samsung benar-benar memahami ekosistem AI yang terus berkembang dan memiliki strategi jitu untuk menguasai setiap segmen.
Inovasi lain yang tak kalah mencengangkan adalah LPDDR5X-PIM. Samsung mengklaim ini sebagai memori LPDDR pertama di industri yang mengusung teknologi Processing-In-Memory (PIM). Teknologi ini memungkinkan sebagian proses komputasi dilakukan langsung di dalam memori, sebelum data dikirim ke prosesor utama. Hasilnya? Bandwidth meningkat drastis dan konsumsi daya lebih efisien. Ini seperti memiliki asisten pribadi di dalam memori yang sudah memproses data sebelum sampai ke bos besar (prosesor). Untuk perangkat mobile dan edge computing, ini adalah terobosan yang bakal mengubah cara kerja perangkat pintar kita sehari-hari.
Semua teknologi mutakhir ini dipamerkan Samsung dalam presentasi utama bertajuk “Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture”. Presentasi yang dikumpulkan dari berbagai sumber termasuk GSM Arena ini menunjukkan bahwa Samsung tidak hanya mengikuti tren AI, tetapi bertekad menjadi penggerak utama revolusi kecerdasan buatan melalui inovasi di lapisan paling fundamental: memori dan penyimpanan.
Temukan juga berbagai berita terbaru lainnya hanya di Exposenews.id.
